| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.07 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 2500+ | 0.4 EUR |
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Technische Details MUR410G onsemi
Description: ONSEMI - MUR410G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 4 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 890mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MUR41, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote MUR410G nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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MUR410G | onsemi |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 4A AXIALReverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Packaging: Bulk Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: Axial Current - Average Rectified (Io): 4A Technology: Standard |
auf Bestellung 3196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR410G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR410G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 4 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 890mV Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MUR41 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MUR410G | ON |
07+; |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MUR410G |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A AXIAL
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Bulk
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 100
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A AXIAL
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Bulk
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 100
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Standard
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| 22+ | 0.96 EUR |
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| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2000+ | 0.42 EUR |
| MUR410G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR410G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 4 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 890mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR41
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - MUR410G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 4 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 890mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR41
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MUR410G |
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Hersteller: ON
07+;
07+;
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)