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MUR810G

MUR810G ON Semiconductor

mur820-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 100V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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Technische Details MUR810G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUR810G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 8 A, Einfach, 975 mV, 35 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 100A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 975mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MUR810G MUR810G ON Semiconductor mur820-d.pdf Diode Switching 100V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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MUR810G MUR810G ON Semiconductor mur820-d.pdf Diode Switching 100V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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MUR810G MUR810G onsemi mur820-d.pdf Rectifiers 100V 8A UltraFast
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2+2.84 EUR
10+1.62 EUR
100+1.56 EUR
500+1.39 EUR
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3000+1.13 EUR
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MUR810G MUR810G onsemi mur820-d.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 8A TO2202
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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50+1.65 EUR
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MUR810G MUR810G ONSEMI ONSMS38014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUR810G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 8 A, Einfach, 975 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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MUR810G ON mur820-d.pdf 07+;
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1000+1.17 EUR
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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Description: ONSEMI - MUR810G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 8 A, Einfach, 975 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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07+;
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