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Technische Details MURA105T3G ON Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A SMA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SMA, Current - Average Rectified (Io): 2A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MURA105T3G nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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MURA105T3G | onsemi |
 Rectifiers 50V 1A UltraFast |
auf Bestellung 49351 Stücke: Lieferzeit 136-140 Tag (e) |
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MURA105T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 30ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 50A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 875mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MURA105T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 30ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 50A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 875mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MURA105T3G | onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A SMA Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: SMA Current - Average Rectified (Io): 2A Technology: Standard |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MURA105T3G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MURA105T3G |
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Hersteller: onsemi
Rectifiers 50V 1A UltraFast
Rectifiers 50V 1A UltraFast
auf Bestellung 49351 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.19 EUR |
| 10000+ | 0.18 EUR |
| 25000+ | 0.17 EUR |
| MURA105T3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
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Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 1.25 EUR |
| 286+ | 0.81 EUR |
| 629+ | 0.35 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| MURA105T3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
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Sperrverzögerungszeit: 30ns
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usEccn: EAR99
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 1.25 EUR |
| 286+ | 0.81 EUR |
| 629+ | 0.35 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| MURA105T3G |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A SMA
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMA
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A SMA
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
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Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SMA
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Standard
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Hersteller: ON Semiconductor
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