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MURA110T3G

MURA110T3G ON Semiconductor

mura105t3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMA T/R
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Technische Details MURA110T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MURA110T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 875mV, Sperrverzögerungszeit: 30ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MURA1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : onsemi MURA105T3-D.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ONSEMI MURA105T3-D.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 30ns; SMA; Ufmax: 0.875V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.875V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
136+0.53 EUR
185+0.39 EUR
235+0.3 EUR
358+0.2 EUR
376+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ONSEMI MURA105T3-D.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 30ns; SMA; Ufmax: 0.875V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.875V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
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Produktcode: 76392
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MURA105T3-D.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : onsemi MURA105T3-D.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
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2500+0.18 EUR
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ONSEMI MURA105T3-D.pdf Description: ONSEMI - MURA110T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ONSEMI MURA105T3-D.pdf Description: ONSEMI - MURA110T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ON Semiconductor mura105t3-d.pdf Rectifier Diode Switching 100V 2A 30ns 2-Pin SMA T/R
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