MURA110T3G

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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle

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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ON Semiconductor mura105t3-d.pdf Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMA T/R
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : onsemi MURA105T3-D.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ON Semiconductor mura105t3-d.pdf Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMA T/R
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349+0.41 EUR
433+0.32 EUR
437+0.31 EUR
589+0.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 349
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ON Semiconductor mura105t3-d.pdf Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMA T/R
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433+0.3 EUR
437+0.28 EUR
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3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 224
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : onsemi MURA105T3-D.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : onsemi 80B2D193A472C5D3B87EAD62BB0DBC3C80C70B5B9CA624D89C56684DCCA286CC.pdf Rectifiers 100V 1A UltraFast
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5000+0.17 EUR
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ONSEMI MURA105T3-D.pdf Description: ONSEMI - MURA110T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14655 Stücke:
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MURA110T3G MURA110T3G Hersteller : ONSEMI MURA105T3-D.pdf Description: ONSEMI - MURA110T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14655 Stücke:
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MURA110T3G Hersteller : On Semiconductor MURA105T3-D.pdf Ultrafast 1.0A 100V 30ns SMA (SMD) Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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