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MURB1620CTT4G

MURB1620CTT4G ON Semiconductor

murb1620ctd.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details MURB1620CTT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 975mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MURB1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : ON Semiconductor murb1620ctd.pdf Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : onsemi murb1620ct-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : ONSEMI murb1620ct-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.895V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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33+2.19 EUR
46+1.56 EUR
61+1.19 EUR
65+1.12 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : ONSEMI murb1620ct-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.895V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : ON Semiconductor murb1620ctd.pdf Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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500+1.05 EUR
1600+0.76 EUR
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : ON Semiconductor murb1620ctd.pdf Diode Switching 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : onsemi murb1620ct-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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10+2.08 EUR
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : onsemi murb1620ct-d.pdf Rectifiers 200V 16A Ultrafast Common Cathode
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1+3.03 EUR
10+2.09 EUR
100+1.66 EUR
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 975mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
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Produktpalette: MURB1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G Hersteller : ON Semiconductor murb1620ct-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MURB1620CTT4G Hersteller : ON murb1620ct-d.pdf 09+ QFN48
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MURB1620CTT4G Hersteller : on murb1620ct-d.pdf 10
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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