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Technische Details MURB1660CTT4G onsemi
Description: ONSEMI - MURB1660CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 60 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 60ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MURB1, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote MURB1660CTT4G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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MURB1660CTT4G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MURB1660CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 60 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURB1 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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MURB1660CTT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURB1660CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 60 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURB1 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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MURB1660CTT4G Produktcode: 126340
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Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
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MURB1660CTT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 16A 60ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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MURB1660CTT4G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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MURB1660CTT4G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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