MURH10060 GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorRectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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Technische Details MURH10060 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67, Packaging: Bulk, Package / Case: D-67, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 100A, Supplier Device Package: D-67, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| MURH10060 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67 |
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MURH10060 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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MURH10060 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67 Packaging: Bulk Package / Case: D-67 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: D-67 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
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MURH10060 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV D-67 50-600V100A600P/420R |
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