| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 268.57 EUR |
| 5+ | 260.76 EUR |
| 10+ | 251.28 EUR |
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Technische Details MURH10060 Navitas Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: D-67, Current - Average Rectified (Io): 100A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: D-67, Packaging: Bulk, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote MURH10060
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MURH10060 | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: D-67 Current - Average Rectified (Io): 100A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: D-67 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 108 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MURH10060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV D-67 50-600V100A600P/420R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MURH10060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 216 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MURH10060 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 100A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-67
Current - Average Rectified (Io): 100A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: D-67
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| MURH10060 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV D-67 50-600V100A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV D-67 50-600V100A600P/420R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| MURH10060 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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