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MURHS160T3G

MURHS160T3G ON Semiconductor

murhs160-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMB T/R
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Technische Details MURHS160T3G ON Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SMB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V.

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MURHS160T3G MURHS160T3G Hersteller : onsemi murhs160-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
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MURHS160T3G MURHS160T3G Hersteller : onsemi murhs160-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
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