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MURS120T3G

MURS120T3G ON Semiconductor

murs120t3d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
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Technische Details MURS120T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MURS120T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AA (SMB), Durchlassstoßstrom: 40A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 875mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MURS1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : ON Semiconductor murs120t3-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 35ns 2-Pin SMB T/R
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MURS120T3G MURS120T3G
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murs120t3-d.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : ON Semiconductor murs120t3d.pdf Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : onsemi murs120t3-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
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2500+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : ON Semiconductor murs120t3d.pdf Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : ON Semiconductor murs120t3d.pdf Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMB T/R
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333+0.43 EUR
336+0.41 EUR
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567+0.21 EUR
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : onsemi murs120t3-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : onsemi MURS120T3_D-1101150.pdf Rectifiers 200V 1A Ultrafast
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : ONSEMI murs120t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURS120T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : ONSEMI murs120t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURS120T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : ONSEMI murs120t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURS120T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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MURS120T3G Hersteller : ON-Semicoductor murs120t3-d.pdf 1A/40AP; 200V; ultra fast <35ns packaging: reel; MURS120T3 diode rectifying DP MURs120t3
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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2500+0.41 EUR
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MURS120T3G Hersteller : ONS murs120t3-d.pdf Диод БМ SMB 200 V 1 A Ultrafast Power Rectifier
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1+0.56 EUR
10+0.49 EUR
100+0.42 EUR
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MURS120T3G MURS120T3G Hersteller : ON Semiconductor murs120t3-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 35ns 2-Pin SMB T/R
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MURS120T3G Hersteller : ONSEMI murs120t3-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 875mV; Ifsm: 40A
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.875V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MURS120T3G Hersteller : ONSEMI murs120t3-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 875mV; Ifsm: 40A
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.875V
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