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MURS160J

MURS160J WeEn Semiconductors

MURS160.pdf Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMAE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 9777 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details MURS160J WeEn Semiconductors

Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMAE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SMAE, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.

Weitere Produktangebote MURS160J nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MURS160J MURS160J Hersteller : WeEn Semiconductors MURS160-1857830.pdf Small Signal Switching Diodes MURS160/SMA/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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MURS160J Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited murs160.pdf Ultrafast Power Diode
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MURS160J MURS160J Hersteller : WeEn Semiconductors MURS160.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SMAE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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