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Technische Details MURS360BT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MURS360BT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AA (SMB), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MURS3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote MURS360BT3G nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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MURS360BT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMB T/R |
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MURS360BT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMB T/R |
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MURS360BT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMB T/R |
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MURS360BT3G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V |
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MURS360BT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMB T/R |
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MURS360BT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMB T/R |
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MURS360BT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMB T/R |
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MURS360BT3G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V |
auf Bestellung 64091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MURS360BT3G | Hersteller : onsemi |
Rectifiers 3A 600V UFR RECTIFIER |
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MURS360BT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURS360BT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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MURS360BT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURS360BT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MURS360BT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin SMB T/R |
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MURS360BT3G Produktcode: 130754 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle |
Produkt ist nicht verfügbar
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