MVR2N2907AUA/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
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Technische Details MVR2N2907AUA/TR Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT, Supplier Device Package: UA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MVR2N2907AUA/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MVR2N2907AUA/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT
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