MW6S004NT1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 15.07 EUR |
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Technische Details MW6S004NT1 NXP USA Inc.
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: PLD-1.5, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MW6S004NT1 nach Preis ab 17 EUR bis 24.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PLD-1.5 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MW6S004NT1 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PLD-1.5 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MW6S004NT1 Produktcode: 200251
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin PLD-1.5 T/R |
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MW6S004NT1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N |
Produkt ist nicht verfügbar |