MW6S010GNR1 NXP Semiconductors
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Technische Details MW6S010GNR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270BA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 960MHz, Power - Output: 10W, Gain: 18dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270-2 GULL, Part Status: Active, Voltage - Rated: 68 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 125 mA.
Weitere Produktangebote MW6S010GNR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| MW6S010GNR1 | Hersteller : NXP |
 Description: NXP - MW6S010GNR1 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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MW6S010GNR1 Produktcode: 89317 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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MW6S010GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
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MW6S010GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
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MW6S010GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA |
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MW6S010GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA |
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MW6S010GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6 900MHZ 10W |
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