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MWI100-12E8 IXYS

M(W,K)I100-12E8.pdf
Hersteller: IXYS
165A/1200V/MOSFET
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Technische Details MWI100-12E8 IXYS

IGBT-NPT3-шестерка, Vces=1200V, Ic25=165A, Ic80=115A, Vce(sat)=2.1V Силові IGBT-модулі.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MWI100-12E8 MW%28K%29I100-12E8.pdf IGBT-NPT3-шестерка, Vces=1200V, Ic25=165A, Ic80=115A, Vce(sat)=2.1V Силові IGBT-модулі
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MWI100-12E8 IXYS M(W,K)I100-12E8.pdf Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3
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IGBT-NPT3-шестерка, Vces=1200V, Ic25=165A, Ic80=115A, Vce(sat)=2.1V Силові IGBT-модулі
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Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3
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