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MWI30-06A7T

MWI30-06A7T IXYS


MWI30-06A7_MWI30-06A7T-481310.pdf Hersteller: IXYS
IGBT Modules 30 Amps 600V
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Technische Details MWI30-06A7T IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Collector current: 30A, Power dissipation: 140W, Case: E2-Pack, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Max. off-state voltage: 0.6kV, Application: motors, Technology: NPT, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Type of semiconductor module: IGBT, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MWI30-06A7T Hersteller : IXYS MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf Description: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
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MWI30-06A7T Hersteller : IXYS MWI30-06A7_MWI30-06A7T.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 30A
Power dissipation: 140W
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Application: motors
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
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