Technische Details MWI50-06A7 IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote MWI50-06A7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MWI50-06A7 | Hersteller : IXYS | 75A/600V/MOSFET |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MWI50-06A7 | Hersteller : ABB | 07+; |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MWI50-06A7 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 72A 225W 18-Pin E2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MWI50-06A7 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |