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MWT-LN300

MWT-LN300 CML Micro


MwT_LN300.pdf
Hersteller: CML Micro
RF MOSFET Transistors Low Noise pHEMT Devices
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Technische Details MWT-LN300 CML Micro

Description: 26 GHZ SUPER LOW NOISE PHEMT, Current - Test: 25 mA, Voltage - Test: 2.5 V, Voltage - Rated: 4 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: Die, Noise Figure: 0.6dB, Technology: pHEMT FET, Gain: 10dB, Frequency: 26GHz, Package / Case: Die, Packaging: Case.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MWT-LN300 MWT-LN300 MicroWave Technology MwT_LN300-2998620.pdf RF MOSFET Transistors Low Noise pHEMT Devices
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MWT-LN300 Microwave Technology Inc. MwT-LN300.pdf Description: 26 GHZ SUPER LOW NOISE PHEMT
Current - Test: 25 mA
Voltage - Test: 2.5 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Noise Figure: 0.6dB
Technology: pHEMT FET
Gain: 10dB
Frequency: 26GHz
Package / Case: Die
Packaging: Case
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MWT-LN300
Hersteller: MicroWave Technology
RF MOSFET Transistors Low Noise pHEMT Devices
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Hersteller: Microwave Technology Inc.
Description: 26 GHZ SUPER LOW NOISE PHEMT
Current - Test: 25 mA
Voltage - Test: 2.5 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Active
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Noise Figure: 0.6dB
Technology: pHEMT FET
Gain: 10dB
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