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MX0912B251Y,114 NXP

Hersteller: NXP
Биполярные транзисторы - BJT BULKTR TNS-MICL Транзистори

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Technische Details MX0912B251Y,114 NXP

Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-439A, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7.4dB, Power - Max: 690W, Current - Collector (Ic) (Max): 15A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frequency - Transition: 1.215GHz, Supplier Device Package: CDFM2.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	MX0912B251Y,114	Ampleon USA Inc.	Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 Packaging: Tray Package / Case: SOT-439A Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 7.4dB Power - Max: 690W Current - Collector (Ic) (Max): 15A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Frequency - Transition: 1.215GHz Supplier Device Package: CDFM2	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	MX0912B251Y,114	NXP Semiconductors	Bipolar Transistors - BJT BULKTR TNS-MICL	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MX0912B251Y,114

Hersteller: Ampleon USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-439A
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.4dB
Power - Max: 690W
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Frequency - Transition: 1.215GHz
Supplier Device Package: CDFM2

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MX0912B251Y,114

Hersteller: NXP Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT BULKTR TNS-MICL

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