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MX0912B251Y


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Technische Details MX0912B251Y

RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN.

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MX0912B251Y Hersteller : Advanced Semiconductor, Inc. ASI_08032018_MX0912B251Y-1385846.pdf RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
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