MXP120A080FW-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - MXP120A080FW-GE3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
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isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details MXP120A080FW-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - MXP120A080FW-GE3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MXP120A080FW-GE3 | VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W Technology: MaxSiC™; SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.175Ω Pulsed drain current: 58A Power dissipation: 56W Gate charge: 47.3nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MXP120A080FW-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.175Ω
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 47.3nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.175Ω
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 47.3nC
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