MXPLAD6.5KP33CAe3 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC PLAD
Supplier Device Package: PLAD
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 123A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Nonstandard SMD
Packaging: Bulk
Bidirectional Channels: 1
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
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Technische Details MXPLAD6.5KP33CAe3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC PLAD, Supplier Device Package: PLAD, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 123A, Applications: General Purpose, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Type: Zener, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: Nonstandard SMD, Packaging: Bulk, Bidirectional Channels: 1, Qualification: MIL-PRF-19500, Grade: Military, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW), Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V, Voltage - Breakdown (Min): 36.7V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MXPLAD6.5KP33CAe3 | Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V, 5%, 6500W, bi, mini-PLAD, SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MXPLAD6.5KP33CAe3 |
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Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V, 5%, 6500W, bi, mini-PLAD, SMT
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