Weitere Produktangebote NAND04GW3B2BN6E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NAND04GW3B2BN6E | STMicroelectronics |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NAND04GW3B2BN6E |
Hersteller: STMicroelectronics
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 2 Stücke: