NAND04GW3B2BN6E STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Паралельна NAND Flash-пам'ять; Uживл, В = 2,7...3,6; Орг. пам. = 512M x 8; Тексп, °C = -40...+85; TSOP-48
Паралельна NAND Flash-пам'ять; Uживл, В = 2,7...3,6; Орг. пам. = 512M x 8; Тексп, °C = -40...+85; TSOP-48
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NAND04GW3B2BN6E STMicroelectronics
Паралельна NAND Flash-пам'ять; Uживл, В = 2,7...3,6; Орг. пам. = 512M x 8; Тексп, °C = -40...+85; TSOP-48.
Weitere Produktangebote NAND04GW3B2BN6E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
NAND04GW3B2BN6E Produktcode: 54298
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IC > IC Speicher |
Produkt ist nicht verfügbar
|