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NAND256W3A0AN6 ST

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Hersteller: ST
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Technische Details NAND256W3A0AN6 ST

Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 32M x 8, Access Time: 50 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 50ns, Supplier Device Package: 48-TSOP, Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NAND, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 256Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
NAND256W3A0AN6 STM NAND256W3A0AN6.pdf Flash 256Mbit, 2.7 to 3.6V, TSOP48 Мікросхеми пам'яті
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NAND256W3A0AN6 NAND256W3A0AN6 STMicroelectronics NAND128%20256%20512%2001G.pdf Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 8
Access Time: 50 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 50ns
Supplier Device Package: 48-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
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NAND256W3A0AN6 NAND256W3A0AN6.pdf
Hersteller: STM
Flash 256Mbit, 2.7 to 3.6V, TSOP48 Мікросхеми пам'яті
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NAND256W3A0AN6
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Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 8
Access Time: 50 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 50ns
Supplier Device Package: 48-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
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