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NAND512W3A2DN6E NUMONYX


Hersteller: NUMONYX

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Technische Details NAND512W3A2DN6E NUMONYX

Паралельна пам'ять Flash, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
NAND512W3A2DN6E Numonyx/Micron NAND02GW3B2DN6E.PDF Паралельна пам'ять Flash, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
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NAND512W3A2DN6E NAND512W3A2DN6E Micron Technology Inc. Description: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
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NAND512W3A2DN6E Micron NAND Flash
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NAND512W3A2DN6E NAND02GW3B2DN6E.PDF
Hersteller: Numonyx/Micron
Паралельна пам'ять Flash, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
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NAND512W3A2DN6E
NAND512W3A2DN6E
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
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NAND512W3A2DN6E
Hersteller: Micron
NAND Flash
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