Technische Details NAND512W3A2DN6E NUMONYX
Паралельна пам'ять Flash, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NAND512W3A2DN6E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| NAND512W3A2DN6E | Hersteller : Numonyx/Micron |
 Паралельна пам'ять Flash, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
NAND512W3A2DN6E | Hersteller : Micron Technology Inc. | Description: IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| NAND512W3A2DN6E | Hersteller : Micron | NAND Flash |
Produkt ist nicht verfügbar |