NCD57000DWR2G onsemi
Hersteller: onsemi
Isolated Gate Drivers Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolation.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.7 EUR |
| 10+ | 10.58 EUR |
| 100+ | 8.75 EUR |
| 250+ | 8.36 EUR |
| 500+ | 7.62 EUR |
| 1000+ | 6.64 EUR |
| 2000+ | 6.39 EUR |
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Technische Details NCD57000DWR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 7.1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 7.8A, Versorgungsspannung, min.: 3.3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 60ns, Ausgabeverzögerung: 66ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NCD57000DWR2G nach Preis ab 5.88 EUR bis 13.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NCD57000DWR2G | onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 7.8A, 7.1A Technology: Capacitive Coupling Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 15ns Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 10 mA Voltage - Output Supply: 0V ~ 24V |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCD57000DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 66ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NCD57000DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 7.1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 66ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NCD57000DWR2G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1713 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCD57000DWR2G |
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Hersteller: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Peak Output: 7.8A, 7.1A
Technology: Capacitive Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 15ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 10 mA
Voltage - Output Supply: 0V ~ 24V
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Peak Output: 7.8A, 7.1A
Technology: Capacitive Coupling
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 15ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 10 mA
Voltage - Output Supply: 0V ~ 24V
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 13.76 EUR |
| 10+ | 9.23 EUR |
| 25+ | 8.05 EUR |
| 100+ | 6.71 EUR |
| 250+ | 6.06 EUR |
| 500+ | 5.88 EUR |
| NCD57000DWR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57000DWR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCD57000DWR2G - IGBT-Treiber High-Side & Low-Side, 7.1A, 3.3-5V Versorgungsspannung, 60ns/66ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 7.1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 66ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCD57000DWR2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH