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Technische Details NCD5701BDR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.8A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 7.8A, Versorgungsspannung, min.: 13.2V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 56ns, Ausgabeverzögerung: 63ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NCD5701BDR2G nach Preis ab 3.2 EUR bis 7.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NCD5701BDR2G | onsemi |
 Gate Drivers IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone |
auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCD5701BDR2G | onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
auf Bestellung 9659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCD5701BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 13.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NCD5701BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 7.8A Versorgungsspannung, min.: 13.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 56ns Ausgabeverzögerung: 63ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NCD5701BDR2G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 7280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCD5701BDR2G |
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Hersteller: onsemi
Gate Drivers IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
Gate Drivers IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.2 EUR |
| 10+ | 5.46 EUR |
| 100+ | 4.57 EUR |
| 500+ | 4.05 EUR |
| 1000+ | 3.53 EUR |
| 2500+ | 3.36 EUR |
| 5000+ | 3.2 EUR |
| NCD5701BDR2G |
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Hersteller: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
auf Bestellung 9659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.39 EUR |
| 10+ | 6.64 EUR |
| 25+ | 6.28 EUR |
| 100+ | 5.44 EUR |
| 250+ | 5.16 EUR |
| 500+ | 4.63 EUR |
| 1000+ | 3.9 EUR |
| NCD5701BDR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2003 Stücke:
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| NCD5701BDR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
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euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCD5701BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, 13.2V bis 20V Versorgungsspannung, 56ns/63ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 7.8A
Versorgungsspannung, min.: 13.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 56ns
Ausgabeverzögerung: 63ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCD5701BDR2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 7280 Stücke:
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