NCD57090EDWR2G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 2.77 EUR |
| 2000+ | 2.7 EUR |
| 3000+ | 2.67 EUR |
| 5000+ | 2.63 EUR |
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Technische Details NCD57090EDWR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5, Treiberkonfiguration: Nicht invertierend, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik-ICs, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1, Betriebstemperatur, min.: -65, Quellstrom: 6.5, Versorgungsspannung, min.: 3.3, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: NCx57090y, Versorgungsspannung, max.: 15, Eingabeverzögerung: 60, Ausgabeverzögerung: 60, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote NCD57090EDWR2G nach Preis ab 2.81 EUR bis 8.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NCD57090EDWR2G | onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V |
auf Bestellung 18075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCD57090EDWR2G | onsemi |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCD57090EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICsSinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: Nicht invertierend Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Logik-ICs Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -65 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCx57090y Versorgungsspannung, max.: 15 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: Nicht invertierend Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik-ICs usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -65 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCx57090y Versorgungsspannung, max.: 15 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 41 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCD57090EDWR2G |
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Hersteller: onsemi
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
auf Bestellung 18075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.09 EUR |
| 10+ | 3.81 EUR |
| 25+ | 3.49 EUR |
| 100+ | 3.13 EUR |
| 250+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.86 EUR |
| NCD57090EDWR2G |
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Hersteller: onsemi
Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
Gate Drivers ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.32 EUR |
| 10+ | 3.97 EUR |
| 25+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 3.28 EUR |
| 250+ | 3.09 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 1000+ | 2.81 EUR |
| NCD57090EDWR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Logik-ICs
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Logik-ICs
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.18 EUR |
| 41+ | 5.74 EUR |
| NCD57090EDWR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik-ICs
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik-ICs
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)

