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Technische Details NCP5901DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, Leistungsschalter: MOSFET, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Anzahl der Kanäle: 2, Betriebstemperatur, min.: -10, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 4.5, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 13.2, Eingabeverzögerung: 16, Ausgabeverzögerung: 11, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote NCP5901DR2G nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NCP5901DR2G | Hersteller : onsemi |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 35 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 11ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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| NCP5901DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NCP5901DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
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NCP5901DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
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NCP5901DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -10 Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 13.2 Eingabeverzögerung: 16 Ausgabeverzögerung: 11 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP5901DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -10 Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 4.5 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 13.2 Eingabeverzögerung: 16 Ausgabeverzögerung: 11 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP5901DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; buck; high-side,low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: buck Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 4.5...13.2V DC Mounting: SMD Operating temperature: -10...125°C Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NCP5901DR2G | Hersteller : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 35 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 11ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2V Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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NCP5901DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; buck; high-side,low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: buck Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 4.5...13.2V DC Mounting: SMD Operating temperature: -10...125°C |
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