NCV1413BDR2G ON Semiconductor
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Technische Details NCV1413BDR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NCV1413BDR2G nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.97 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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NCV1413BDR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: darlington; transistor array Case: SO16 Output current: 0.5A Output voltage: 50V Number of channels: 7 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Application: automotive industry; for inductive load Kind of package: reel; tape Input voltage: 30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: darlington; transistor array Case: SO16 Output current: 0.5A Output voltage: 50V Number of channels: 7 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Application: automotive industry; for inductive load Kind of package: reel; tape Input voltage: 30V |
auf Bestellung 2377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NCV1413BDR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NCV1413BDR2G | Hersteller : ON |
09+ |
auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NCV1413BDR2G | Hersteller : ON |
09+ SOP16 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NCV1413BDR2G Produktcode: 176359
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NCV1413BDR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive 16-Pin SOIC T/R |
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