NCV1413BDR2G
Produktcode: 176359
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NCV1413BDR2G | onsemi |
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCV1413BDR2G | ONSEMI |
Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7 Operating temperature: -40...125°C Application: automotive industry; for inductive load Kind of integrated circuit: darlington; transistor array Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Case: SO16 Kind of package: reel; tape Output current: 0.5A Output voltage: 50V Number of channels: 7 Input voltage: 30V |
auf Bestellung 2251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV1413BDR2G | onsemi |
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive |
auf Bestellung 33292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCV1413BDR2G | onsemi |
Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington |
auf Bestellung 7669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCV1413BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NCV1413BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NCV1413BDR2G | ON |
09+ |
auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCV1413BDR2G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| 12500+ | 0.49 EUR |
| 25000+ | 0.48 EUR |
| NCV1413BDR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Operating temperature: -40...125°C
Application: automotive industry; for inductive load
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Input voltage: 30V
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Operating temperature: -40...125°C
Application: automotive industry; for inductive load
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Output current: 0.5A
Output voltage: 50V
Number of channels: 7
Input voltage: 30V
auf Bestellung 2251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 0.82 EUR |
| 162+ | 0.52 EUR |
| 169+ | 0.5 EUR |
| NCV1413BDR2G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
auf Bestellung 33292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.13 EUR |
| 27+ | 0.81 EUR |
| 30+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 250+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| NCV1413BDR2G |
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington
Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington
auf Bestellung 7669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.15 EUR |
| 10+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2500+ | 0.48 EUR |
| NCV1413BDR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCV1413BDR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NCV1413BDR2G |
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Hersteller: ON
09+
09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)