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NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G ON Semiconductor

mc1413-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R
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Technische Details NCV1413BDR2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ON Semiconductor mc1413-d.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : onsemi mc1413-d.pdf Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ONSEMI MC1413BDG.PDF Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Case: SO16
Output current: 0.5A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 30V
Number of channels: 7
Application: automotive industry; for inductive load
Output voltage: 50V
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103+0.70 EUR
131+0.55 EUR
155+0.46 EUR
164+0.44 EUR
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ONSEMI MC1413BDG.PDF Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: darlington; transistor array
Case: SO16
Output current: 0.5A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Input voltage: 30V
Number of channels: 7
Application: automotive industry; for inductive load
Output voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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219+0.65 EUR
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500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 191
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : onsemi mc1413-d.pdf Darlington Transistors High Voltage High Current Darlington
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10+0.77 EUR
25+0.74 EUR
100+0.63 EUR
250+0.58 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : onsemi mc1413-d.pdf Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
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15+1.20 EUR
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500+0.59 EUR
1000+0.53 EUR
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ON Semiconductor mc1413-d.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ON Semiconductor mc1413-d.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ON Semiconductor mc1413-d.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ONSEMI 89933.pdf Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ON Semiconductor mc1413-d.pdf Trans Darlington NPN 50V 0.5A Automotive AEC-Q101 16-Pin SOIC T/R
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NCV1413BDR2G
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G Hersteller : ONSEMI 89933.pdf Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NCV1413BDR2G Hersteller : ON mc1413-d.pdf 09+ SOP16
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NCV1413BDR2G Hersteller : ON mc1413-d.pdf 09+
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