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NCV57201DR2G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q100
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Technische Details NCV57201DR2G ON Semiconductor

Description: DGTL ISO 1KV 1CH GATE DVR 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A, Technology: Capacitive Coupling, Current - Output High, Low: 1.9A, 2.3A, Voltage - Isolation: 1000Vrms, Approval Agency: VDE, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 8ns, Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs, Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns, Pulse Width Distortion (Max): 25ns, Grade: Automotive, Part Status: Active, Number of Channels: 1, Voltage - Output Supply: 0V ~ 20V, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NCV57201DR2G NCV57201DR2G ON Semiconductor ncd57201-d.pdf Driver 2.3A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q100
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NCV57201DR2G NCV57201DR2G onsemi ncd57201-d.pdf Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVER WITH DESAT
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NCV57201DR2G NCV57201DR2G onsemi ncd57201-d.pdf Description: DGTL ISO 1KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 1.9A, 2.3A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 1.9A, 2.3A
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 20V
Qualification: AEC-Q100
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Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
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