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NCV8402ADDR2G

NCV8402ADDR2G ON Semiconductor

ncv8402dd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
387+1.69 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
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Technische Details NCV8402ADDR2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G ON Semiconductor ncv8402dd.pdf Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.84 EUR
250+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G onsemi ncv8402d-d.pdf MOSFETs 42V2A
auf Bestellung 4639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.61 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G onsemi ncv8402d-d.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 165mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
12+1.8 EUR
25+1.63 EUR
100+1.44 EUR
250+1.36 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G ONSEMI 2355013.pdf Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
130+1.8 EUR
142+1.51 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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NCV8402ADDR2G NCV8402ADDR2G ONSEMI 2355013.pdf Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
130+1.8 EUR
142+1.51 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NCV8402ADDR2G ON-Semiconductor ncv8402d-d.pdf Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5,4A Automotive; 165mOhm; 800mW; 42V; -55°C~150°C; NCV8402ADDR2G UINCV8402add
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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NCV8402ADDR2G ncv8402dd.pdf
NCV8402ADDR2G
Hersteller: ON Semiconductor
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 2A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
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MOSFETs 42V2A
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NCV8402ADDR2G
Hersteller: onsemi
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 165mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1994 Stücke:
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100+1.44 EUR
250+1.36 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NCV8402ADDR2G 2355013.pdf
NCV8402ADDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.93 EUR
130+1.8 EUR
142+1.51 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV8402ADDR2G 2355013.pdf
NCV8402ADDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, SOIC
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
130+1.8 EUR
142+1.51 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV8402ADDR2G ncv8402d-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5,4A Automotive; 165mOhm; 800mW; 42V; -55°C~150°C; NCV8402ADDR2G UINCV8402add
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH