NCV8412ASTT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: SELF-PROTECTED LOW SIDE DRIVER W
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 5.9A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 42V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 145mOhm
Output Configuration: Low Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 2.11 EUR |
| 10+ | 1.9 EUR |
| 25+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.38 EUR |
| 250+ | 1.22 EUR |
| 500+ | 1.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NCV8412ASTT1G onsemi
Description: ONSEMI - NCV8412ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 44V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NCV8412ASTT1G nach Preis ab 0.81 EUR bis 1.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCV8412ASTT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8412ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 44V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
NCV8412ASTT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8412ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 44V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| NCV8412ASTT1G | Hersteller : onsemi |
Power Switch ICs - Power Distribution Self-Protected Low Side Driver with In-Rush Current Management Low Side SmartFET |
auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|