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NCV8412ASTT1G

NCV8412ASTT1G ON Semiconductor

ncv8412-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NCV8412ASTT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NCV8412ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 44V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 2.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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188+0.92 EUR
191+0.88 EUR
250+0.84 EUR
500+0.82 EUR
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185+0.92 EUR
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191+0.82 EUR
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NCV8412ASTT1G NCV8412ASTT1G ONSEMI 3168479.pdf Description: ONSEMI - NCV8412ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 44V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 3174 Stücke:
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118+2.12 EUR
153+1.52 EUR
166+1.3 EUR
200+1.08 EUR
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NCV8412ASTT1G NCV8412ASTT1G ONSEMI 3168479.pdf Description: ONSEMI - NCV8412ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 44V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
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NCV8412ASTT1G NCV8412ASTT1G onsemi ncv8412-d.pdf Description: SELF-PROTECTED LOW SIDE DRIVER W
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 5.9A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 42V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 145mOhm
Output Configuration: Low Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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250+1.13 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: ON Semiconductor
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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188+0.92 EUR
191+0.88 EUR
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Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 5.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 560 Stücke:
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185+0.92 EUR
188+0.87 EUR
191+0.82 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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NCV8412ASTT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8412ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 44V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
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118+2.12 EUR
153+1.52 EUR
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NCV8412ASTT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8412ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 44 V, 3.9 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 44V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 3174 Stücke:
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118+2.12 EUR
153+1.52 EUR
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200+1.08 EUR
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NCV8412ASTT1G
Hersteller: onsemi
Description: SELF-PROTECTED LOW SIDE DRIVER W
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 5.9A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 42V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 145mOhm
Output Configuration: Low Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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100+1.64 EUR
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Power Switch ICs - Power Distribution Self-Protected Low Side Driver with In-Rush Current Management Low Side SmartFET
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