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NDC7001C

NDC7001C onsemi

ndc7001c-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA, 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V, 66pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
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Technische Details NDC7001C onsemi

Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 700mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote NDC7001C nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDC7001C NDC7001C ONSEMI NDC7001C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.51/-0.34A
Gate charge: 1.5/2.2nC
On-state resistance: 4/10Ω
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1 EUR
123+0.69 EUR
151+0.56 EUR
233+0.37 EUR
268+0.32 EUR
298+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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NDC7001C NDC7001C onsemi / Fairchild ndc7001c-d.pdf MOSFETs Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
auf Bestellung 46844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.74 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NDC7001C NDC7001C onsemi ndc7001c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA, 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V, 66pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 9437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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NDC7001C NDC7001C onsemi ndc7001c-d.pdf MOSFETs Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
auf Bestellung 51487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NDC7001C NDC7001C ONSEMI 2304413.pdf Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 56422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.51/-0.34A
Gate charge: 1.5/2.2nC
On-state resistance: 4/10Ω
Gate-source voltage: ±20V
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA, 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V, 66pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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NDC7001C
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Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
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