NDC7001C ON Semiconductor
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Technische Details NDC7001C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 700mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NDC7001C nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NDC7001C | Hersteller : ONSEMI |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.51/-0.34A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4/10Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5/2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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NDC7001C | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.51/-0.34A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4/10Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5/2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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NDC7001C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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NDC7001C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDC7001C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA, 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V, 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
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NDC7001C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA, 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V, 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
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NDC7001C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode |
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NDC7001C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NDC7001C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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NDC7001C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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NDC7001C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NDC7001C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.51A/0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |