NDC7002N onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details NDC7002N onsemi
Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NDC7002N nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NDC7002N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-6 N-CH ENHANCE |
auf Bestellung 60070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDC7002N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
auf Bestellung 25814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDC7002N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 58838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDC7002N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 58838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
