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NDC7002N

NDC7002N ON Semiconductor

ndc7002n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.51A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details NDC7002N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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NDC7002N NDC7002N Hersteller : onsemi ndc7002n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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489+0.29 EUR
555+0.25 EUR
561+0.24 EUR
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0CF99AC49DF1A303005056AB0C4F&compId=NDC7002N.pdf?ci_sign=700e2757c62f23933ea86ede021e99436a8a3766 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
162+0.44 EUR
197+0.36 EUR
217+0.33 EUR
274+0.26 EUR
302+0.24 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0CF99AC49DF1A303005056AB0C4F&compId=NDC7002N.pdf?ci_sign=700e2757c62f23933ea86ede021e99436a8a3766 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.51A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.51A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : onsemi / Fairchild ndc7002n-d.pdf MOSFETs SO-6 N-CH ENHANCE
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10+0.57 EUR
100+0.42 EUR
500+0.33 EUR
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3000+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : onsemi ndc7002n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
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26+0.69 EUR
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1000+0.29 EUR
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : ONSEMI 2304197.pdf Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 73274 Stücke:
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NDC7002N NDC7002N Hersteller : ONSEMI 2304197.pdf Description: ONSEMI - NDC7002N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 510 mA, 2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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