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NDC7003P

NDC7003P onsemi

ndc7003p-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
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Technische Details NDC7003P onsemi

Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NDC7003P NDC7003P Hersteller : onsemi / Fairchild ndc7003p-d.pdf MOSFETs Dual P-Ch FET Enhancement Mode
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NDC7003P NDC7003P Hersteller : onsemi ndc7003p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 10903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
24+0.74 EUR
100+0.51 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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NDC7003P NDC7003P Hersteller : ONSEMI ndc7003p-d.pdf Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 33235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDC7003P NDC7003P Hersteller : ONSEMI ndc7003p-d.pdf Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NDC7003P NDC7003P Hersteller : ON Semiconductor ndc7003p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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NDC7003P Hersteller : Fairchild ndc7003p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin SuperSOT T/R NDC7003P TNDC7003p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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NDC7003P Hersteller : ONSEMI ndc7003p-d.pdf NDC7003P Multi channel transistors
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NDC7003P NDC7003P Hersteller : ON Semiconductor ndc7003p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R
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NDC7003P NDC7003P Hersteller : ON Semiconductor ndc7003p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R
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