NDS0605 ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NDS0605 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

Weitere Produktangebote NDS0605 nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS0605 NDS0605 ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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1767+0.1 EUR
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1806+0.094 EUR
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NDS0605 NDS0605 onsemi nds0605-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS0605 NDS0605 ONSEMI NDS0605.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
auf Bestellung 5158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.4 EUR
291+0.3 EUR
424+0.2 EUR
499+0.17 EUR
610+0.14 EUR
701+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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NDS0605 NDS0605 ON Semiconductor nds0605-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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1734+0.098 EUR
1752+0.093 EUR
1767+0.089 EUR
1786+0.084 EUR
1806+0.08 EUR
1822+0.076 EUR
3000+0.063 EUR
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NDS0605 NDS0605 onsemi / Fairchild NDS0605-D.PDF MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
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100+0.17 EUR
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3000+0.11 EUR
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NDS0605 NDS0605 onsemi nds0605-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
auf Bestellung 12574 Stücke:
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31+0.69 EUR
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1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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NDS0605 NDS0605 ONSEMI 2304442.pdf Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26735 Stücke:
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NDS0605 NDS0605 ONSEMI 2304442.pdf Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 21126 Stücke:
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NDS0605 NDS0605 onsemi nds0605-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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NDS0605 nds0605-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
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NDS0605 NDS0605.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
auf Bestellung 5158 Stücke:
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209+0.4 EUR
291+0.3 EUR
424+0.2 EUR
499+0.17 EUR
610+0.14 EUR
701+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
1500+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
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NDS0605 nds0605-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
355+0.5 EUR
1734+0.098 EUR
1752+0.093 EUR
1767+0.089 EUR
1786+0.084 EUR
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
auf Bestellung 32726 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NDS0605 nds0605-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
auf Bestellung 12574 Stücke:
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31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS0605 2304442.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26735 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.75 EUR
556+0.42 EUR
1114+0.19 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS0605 2304442.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 21126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
309+0.81 EUR
730+0.32 EUR
814+0.26 EUR
1086+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS0605 nds0605-d.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
auf Bestellung 18392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.88 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH