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NDS355AN

NDS355AN onsemi

NDS355AN-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
auf Bestellung 204000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.36 EUR
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Technische Details NDS355AN onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote NDS355AN nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS355AN NDS355AN ONSEMI NDS355AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.07 EUR
103+0.82 EUR
118+0.73 EUR
164+0.52 EUR
188+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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NDS355AN NDS355AN onsemi / Fairchild NDS355AN-D.PDF MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 43186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.84 EUR
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500+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NDS355AN NDS355AN onsemi NDS355AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
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13+1.62 EUR
21+1 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
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NDS355AN ON-Semiconductor NDS355AN-D.PDF N-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω NDS355AN smd TNDS355an
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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50+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
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N-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω NDS355AN smd TNDS355an
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