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NDS8426A

NDS8426A Fairchild Semiconductor

FAIRS32553-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
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Technische Details NDS8426A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NDS8426A NDS8426A Hersteller : ONSEMI FAIRS32553-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NDS8426A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NDS8426A NDS8426A Hersteller : ON Semiconductor nds8426a.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC N
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NDS8426A NDS8426A Hersteller : onsemi NDS8426A.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
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Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
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