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NDS9407

NDS9407 ON Semiconductor

nds9407-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
282+0.61 EUR
310+0.54 EUR
323+0.5 EUR
353+0.44 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
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Technische Details NDS9407 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 130245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
923+0.7 EUR
1001+0.63 EUR
10000+0.56 EUR
100000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 923 Stücke
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NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.81 EUR
234+0.73 EUR
284+0.58 EUR
500+0.45 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.05 EUR
212+0.79 EUR
234+0.68 EUR
284+0.55 EUR
500+0.42 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.09 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.21 EUR
146+1.17 EUR
250+1.11 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.93 EUR
139+1.2 EUR
142+1.13 EUR
146+1.06 EUR
250+0.99 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
50+1.09 EUR
100+0.98 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
auf Bestellung 7320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.09 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 NDS9407 ONSEMI 2304164.pdf Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
146+1.59 EUR
221+0.98 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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NDS9407 NDS9407 ONSEMI 2304164.pdf Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
146+1.59 EUR
221+0.98 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2250 Stücke
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NDS9407 ONS/FAI nds9407-d.pdf MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+5.93 EUR
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NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 130245 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
923+0.7 EUR
1001+0.63 EUR
10000+0.56 EUR
100000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 923 Stücke
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NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
212+0.81 EUR
234+0.73 EUR
284+0.58 EUR
500+0.45 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
166+1.05 EUR
212+0.79 EUR
234+0.68 EUR
284+0.55 EUR
500+0.42 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
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NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
158+1.09 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 nds9407-d.pdf
NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.21 EUR
146+1.17 EUR
250+1.11 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+1.93 EUR
139+1.2 EUR
142+1.13 EUR
146+1.06 EUR
250+0.99 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NDS9407
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
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AnzahlPrivatkunde
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
50+1.09 EUR
100+0.98 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NDS9407
Hersteller: onsemi
MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
auf Bestellung 7320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.37 EUR
10+1.09 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NDS9407
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
146+1.59 EUR
221+0.98 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 2304164.pdf
NDS9407
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.73 EUR
146+1.59 EUR
221+0.98 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NDS9407
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 nds9407-d.pdf
Hersteller: ONS/FAI
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH