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NDS9407

NDS9407 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details NDS9407 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
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auf Bestellung 3400 Stücke:
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300+0.52 EUR
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NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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969+0.56 EUR
1051+0.51 EUR
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100000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 969 Stücke
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NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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178+0.82 EUR
250+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.28 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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NDS9407 NDS9407 ON Semiconductor nds9407-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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127+1.14 EUR
178+0.79 EUR
250+0.54 EUR
500+0.42 EUR
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2500+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
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NDS9407 NDS9407 onsemi / Fairchild NDS9407-D.PDF MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
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2+1.72 EUR
10+1.08 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.42 EUR
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NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
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2+1.92 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NDS9407 NDS9407 onsemi nds9407-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
auf Bestellung 10039 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NDS9407 NDS9407 ONSEMI 2304164.pdf Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2973 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NDS9407 NDS9407 ONSEMI 2304164.pdf Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2973 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NDS9407 ONS/FAI nds9407-d.pdf MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Транзистори
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NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
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NDS9407
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
auf Bestellung 9400 Stücke:
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2500+0.46 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
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2500+0.43 EUR
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NDS9407
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Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 131070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
969+0.56 EUR
1051+0.51 EUR
10000+0.44 EUR
100000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 969 Stücke
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NDS9407
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
178+0.82 EUR
250+0.57 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
2500+0.28 EUR
5000+0.27 EUR
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Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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500+0.42 EUR
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5000+0.24 EUR
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NDS9407
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
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100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.42 EUR
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NDS9407
Hersteller: onsemi
MOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
auf Bestellung 8104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.92 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NDS9407
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
auf Bestellung 10039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
10+1.92 EUR
15+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 2304164.pdf
NDS9407
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 2304164.pdf
NDS9407
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS9407 nds9407-d.pdf
Hersteller: ONS/FAI
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH