NDSH25170A onsemi
Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 26.19 EUR |
| 30+ | 16.26 EUR |
| 120+ | 14.25 EUR |
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Technische Details NDSH25170A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V.
Weitere Produktangebote NDSH25170A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NDSH25170A | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NDSH25170A |
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