NDT451AN ON Semiconductor
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Technische Details NDT451AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NDT451AN nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NDT451AN | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NDT451AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NDT451AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
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NDT451AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NDT451AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT451AN | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDT451AN | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
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NDT451AN | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT451AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NDT451AN | Hersteller : ONSEMI |
NDT451AN SMD N channel transistors |
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NDT451AN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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