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NDT452AP

NDT452AP ON Semiconductor

ndt452apjp-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NDT452AP ON Semiconductor

Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : onsemi ndt452ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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4000+0.67 EUR
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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1000+0.42 EUR
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : onsemi / Fairchild NDT452AP_D-2317893.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
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10+1.37 EUR
100+0.99 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : onsemi ndt452ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
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8+2.41 EUR
12+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.66 EUR
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : MULTICOMP PRO 4419350.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2310 Stücke:
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 57915 Stücke:
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : MULTICOMP PRO 4419350.pdf Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ONSEMI 2304419.pdf Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDT452AP Hersteller : ONSEMI ndt452ap-d.pdf NDT452AP SMD P channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
97+0.74 EUR
103+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDT452AP Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor ndt452ap-d.pdf P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R). SOT-223
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.03 EUR
10+1.75 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NDT452AP************
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDT452AP NDT452AP Hersteller : ON Semiconductor ndt452apjp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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