NDT452AP ON Semiconductor
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Technische Details NDT452AP ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NDT452AP nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.06 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NDT452AP | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NDT452AP | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NDT452AP | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NDT452AP | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NDT452AP | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V |
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NDT452AP | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NDT452AP | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
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NDT452AP | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V |
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NDT452AP | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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NDT452AP | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NDT452AP | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP Produktcode: 36888 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
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NDT452AP | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NDT452AP | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NDT452AP | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor | P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R). SOT-223 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP************ |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NDT452AP | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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