NDT452AP
Produktcode: 36888
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT452AP | onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode |
auf Bestellung 21513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDT452AP | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 50720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDT452AP | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NDT452AP | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NDT452AP************ |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| NDT452AP | Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 5 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NDT452AP |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.6 EUR |
| 12000+ | 0.57 EUR |
| NDT452AP |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.62 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 274+ | 0.63 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 269+ | 0.64 EUR |
| NDT452AP |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 268+ | 0.65 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.68 EUR |
| 8000+ | 0.63 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 4000+ | 0.81 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 1.07 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.57 EUR |
| 136+ | 1.24 EUR |
| 137+ | 1.18 EUR |
| 177+ | 0.88 EUR |
| 250+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| NDT452AP |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 1.93 EUR |
| 53+ | 1.61 EUR |
| 61+ | 1.42 EUR |
| 85+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 250+ | 0.8 EUR |
| NDT452AP |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
auf Bestellung 21513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.28 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 4000+ | 0.69 EUR |
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 50720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.84 EUR |
| 12+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| 2000+ | 0.79 EUR |
| NDT452AP |
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Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: MULTICOMP PRO - NDT452AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NDT452AP************ |
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| NDT452AP |
![]() |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=5A, P=3W , Rds=0.065R).... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 62 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:





