NE3210S01-T1B IC
Produktcode: 89265
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8542 39 90 00
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3210S01-T1B | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 2 V Voltage - Rated: 4 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMD Noise Figure: 0.35dB Technology: GaAs HJ-FET Gain: 13.5dB Frequency: 12GHz Current Rating (Amps): 15mA Package / Case: 4-SMD Packaging: Tape & Reel (TR) |
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NE3210S01-T1B | CEL |
 RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET |
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| NE3210S01-T1B | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
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| NE3210S01-T1B |
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMD
Noise Figure: 0.35dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: 4-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMD
Noise Figure: 0.35dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13.5dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 15mA
Package / Case: 4-SMD
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| NE3210S01-T1B |
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Hersteller: CEL
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
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| NE3210S01-T1B |
Hersteller: Renesas Electronics
Renesas Electronics
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