NE3210S01-T1B IC
Produktcode: 89265
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8542 39 90 00
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3210S01-T1B | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.35dB Supplier Device Package: SMD Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
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 |
NE3210S01-T1B | CEL |
 RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET |
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| NE3210S01-T1B | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
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| NE3210S01-T1B |
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: SMD
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
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| NE3210S01-T1B |
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Hersteller: CEL
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
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| NE3210S01-T1B |
Hersteller: Renesas Electronics
Renesas Electronics
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