NE3503M04-A CEL
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: M04
Noise Figure: 0.45dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 12dB
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Bulk
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Technische Details NE3503M04-A CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: M04, Noise Figure: 0.45dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 12dB, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 70mA, Package / Case: SOT-343F, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NE3503M04-A | CEL |
RF JFET Transistors Low Noise HJ FET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NE3503M04-A | Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
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| NE3503M04-A |
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| NE3503M04-A |
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Renesas Electronics
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