NE3503M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET HFET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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Technische Details NE3503M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 12dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Weitere Produktangebote NE3503M04-T2B-A nach Preis ab 1.2 EUR bis 2.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE3503M04-T2B-A | Renesas |
HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL RF FET |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NE3503M04-T2B-A | Renesas |
HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL RF FET |
auf Bestellung 13494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NE3503M04-T2B-A | Renesas |
HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL RF FET |
auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NE3503M04-T2B-A |
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Hersteller: Renesas
HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL RF FET
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|---|---|
| 312+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| 10000+ | 1.46 EUR |
| NE3503M04-T2B-A |
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HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL RF FET
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