NE3508M04-T2-A Renesas
Hersteller: Renesas
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details NE3508M04-T2-A Renesas
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: F4TSMM, M04, Noise Figure: 0.45dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 14dB, Power - Output: 18dBm, Frequency: 2GHz, Current Rating (Amps): 120mA, Package / Case: SOT-343F, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote NE3508M04-T2-A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NE3508M04-T2-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 2 V Voltage - Rated: 4 V Supplier Device Package: F4TSMM, M04 Noise Figure: 0.45dB Technology: GaAs HJ-FET Gain: 14dB Power - Output: 18dBm Frequency: 2GHz Current Rating (Amps): 120mA Package / Case: SOT-343F Packaging: Tape & Reel (TR) |
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| NE3508M04-T2-A |
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Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Noise Figure: 0.45dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 14dB
Power - Output: 18dBm
Frequency: 2GHz
Current Rating (Amps): 120mA
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Noise Figure: 0.45dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 14dB
Power - Output: 18dBm
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Package / Case: SOT-343F
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