NE3508M04-T2-A Renesas
Hersteller: Renesas
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details NE3508M04-T2-A Renesas
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 120mA, Frequency: 2GHz, Power - Output: 18dBm, Gain: 14dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: F4TSMM, M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Weitere Produktangebote NE3508M04-T2-A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NE3508M04-T2-A | CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 120mA Frequency: 2GHz Power - Output: 18dBm Gain: 14dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.45dB Supplier Device Package: F4TSMM, M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NE3508M04-T2-A |
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Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 120mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 18dBm
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 120mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 18dBm
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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