NE3508M04-T2-A Renesas
Hersteller: Renesas
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR POWERMOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details NE3508M04-T2-A Renesas
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: F4TSMM, M04, Noise Figure: 0.45dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 14dB, Power - Output: 18dBm, Frequency: 2GHz, Current Rating (Amps): 120mA, Package / Case: SOT-343F, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NE3508M04-T2-A | Hersteller : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 2 V Voltage - Rated: 4 V Supplier Device Package: F4TSMM, M04 Noise Figure: 0.45dB Technology: GaAs HJ-FET Gain: 14dB Power - Output: 18dBm Frequency: 2GHz Current Rating (Amps): 120mA Package / Case: SOT-343F Packaging: Tape & Reel (TR) |
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