Technische Details NE3510M04-T2-A California Eastern Laboratories
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 97mA, Frequency: 4GHz, Gain: 16dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 15 mA.
Weitere Produktangebote NE3510M04-T2-A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3510M04-T2-A | California Eastern Laboratories |
 Trans RF FET 4V 0.097A 4-Pin Case M04 T/R |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NE3510M04-T2-A |
|
Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF FET 4V 0.097A 4-Pin Case M04 T/R
Trans RF FET 4V 0.097A 4-Pin Case M04 T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)