NE3514S02-T1C-A CEL
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Supplier Device Package: S02
Noise Figure: 0.75dB
Technology: GaAs HJ-FET
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Gain: 10dB
Frequency: 20GHz
Current Rating (Amps): 70mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NE3514S02-T1C-A CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Supplier Device Package: S02, Noise Figure: 0.75dB, Technology: GaAs HJ-FET, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Gain: 10dB, Frequency: 20GHz, Current Rating (Amps): 70mA, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3514S02-T1C-A | California Eastern Laboratories |
Trans RF FET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NE3514S02-T1C-A | California Eastern Laboratories |
Trans RF FET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R |
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| NE3514S02-T1C-A |
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Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF FET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R
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| NE3514S02-T1C-A |
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